Samsung apresenta chip de memória interna com 1 TB de capacidade para smartphones

A Samsung anunciou nesta terça-feira, dia 30 de janeiro de 2019, que começou a produzir em massa um novo chip de memória interna com 1 TB de capacidade. O novo dispositivo utiliza sistema Universal Flash Storage (eUFS) 2.1 incorporado, para utilização em aplicações móveis da próxima geração.

A companhia destacou que o novo chip é o primeiro da indústria a oferecer este espaço para armazenamento para um smartphone, tornando a capacidade de armazenamento do aparelho comparável a um notebook de alta qualidade.

“Espera-se que o eUFS de 1TB desempenhe um papel fundamental em trazer uma experiência de usuário mais parecida com um notebook para a próxima geração de dispositivos móveis”, disse Cheol Choi, vice-presidente executivo de Vendas e Marketing de Memória da Samsung Electronics. “Além disso, a Samsung está comprometida em garantir a cadeia de suprimentos mais confiável e quantidades de produção adequadas para suportar os lançamentos oportunos dos futuros smartphones flagship na aceleração do crescimento do mercado móvel global”.

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A nova memória de 1 TB mantém as dimensões de seus antecessores, mantendo o mesmo tamanho de pacote (11,5 mm x 13,0 mm), duplicando a capacidade da versão anterior de 512GB combinando 16 camadas empilhadas da mais avançada memória flash V-NAND de 512 gigabytes (Gb) da Samsung e um recém-desenvolvido controlador proprietário da Samsung.

O novo chip também oferece velocidade excepcional, com até 1.000 megabytes por segundo (MB / s), uma vez que ele possui aproximadamente o dobro da velocidade de leitura sequencial de um SSD (Unidade de Estado Sólido) SATA de 2,5 polegadas. Além disso, a velocidade de leitura aleatória tem velocidade que atinge até 58 mil IOPS, enquanto a gravação aleatória podem chagar à 50 mil IOPS.

A Samsung finalizou o anuncio explicando que planeja expandir a produção de sua quinta geração de 512 Gb V-NAND, durante o primeiro semestre de 2019, isso para atender plenamente à demanda esperada para as novas memorias eUFS de 1 TB.

Fonte: Samsung Newsroom