Samsung Electronics anunciou o início da produção dos chips de memória LPDDR4X DRAM

A Samsung anunciou na última quinta-feira, dia 26 de julho de 2018, através de comunicado de impressa que iniciou a produção em massa da 2ª geração de chips de memória LPDDR4X (Low Power, Double Data Rate, 4X) DRAM, que melhora a eficiência e reduz o consumo de bateria de dispositivos móveis.

O chip de memória móvel LPDDR4X DRAM se baseia em um processo de fabricação em classe de 10 nanômetros, apresenta uma redução de até 10% no consumo de energia, mantendo a taxa de dados de 4.266 megabits por segundo (Mb / s) e com capacidade de 16Gb.

A Samsung informou que desenvolveu um pacote DRAM móvel de 8 GB LPDDR4X, combinando quatro dos chips DRAM de 16 Gb LPDDR4X de classe 10nm (16 Gb = 2 GB). Este pacote de quatro chips consegue alcançar uma taxa de transferência de dados de 34,1 GB por segundo, reduzido em aproximadamente 20% em comparação com seu antecessor da 1ª geração.

“O advento da DRAM móvel de classe 10nm permitirá soluções significativamente aprimoradas para a próxima geração de dispositivos móveis emblemáticos que devem chegar ao mercado no final deste ano ou na primeira parte de 2019.” disse Sewon Chun, vice-presidente sênior de vendas de memória Marketing na Samsung Electronics. “Continuaremos a aumentar nossa linha de DRAM premium para liderar o segmento de memória de ‘alto desempenho, alta capacidade e baixa potência’ para atender à demanda do mercado e fortalecer nossa competitividade nos negócios” concluiu Chun.

Ainda de acordo com o comunicado de impressa da Samsung, a empresa planeja continuar expandindo sua linha DRAM premium baseada no processo de 1 nanômetro em mais de 70%. E por fim se comprometeu a oferecer uma variedade de pacotes LPDDR4X de 4 GB, 6 GB e 8 GB para todos os tipos de dispositivos móveis

Ressaltamos que não foram divulgadas novas informações quanto a produção ou possíveis alterações de aplicações do novo chip LPDDR5 que também pertence a linha DRAM premium da Samsung.

Fonte: Samsung Newsroom